| 发明名称 | 制备非极性A面GaN薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形成自组装横向外延模板；以及在自组装横向外延模板上生长非极性A面GaN薄膜。采用本发明自组装纳米尺度的横向外延模板可以改善薄膜质量，获得具有较高晶体质量的非极性GaN薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102820211A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210313725.7 | 申请日期 | 2012.08.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵桂娟;李志伟;桑玲;魏鸿源;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种制备非极性A面GaN薄膜的方法，其特征在于，包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在所述非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对所述非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形成自组装横向外延模板；以及在所述自组装横向外延模板上生长非极性A面GaN薄膜。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||