一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层，随后对该非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层进行高温退火，形成自组装纳米尺度的横向外延模板；利用MOCVD技术在横向外延模板上生长非极性A面高温GaN模板层；利用MOCVD技术，用氮气作为载气将铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在非极性A面高温GaN模板层上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室降到300摄氏度以下关闭氮源，完成非极性A面InGaN薄膜的生长。利用本发明，可以获得较高质量富In组分的InGaN薄膜。

主权项

一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤1：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；步骤2：利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层，随后对该非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层进行高温退火，形成自组装纳米尺度的横向外延模板；步骤3：利用MOCVD技术在横向外延模板上生长非极性A面高温GaN模板层；步骤4：利用MOCVD技术，用氮气作为载气将铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在非极性A面高温GaN模板层上生长InGaN薄膜；步骤5：关闭铟源和镓源，反应室降到300摄氏度以下关闭氮源，完成非极性A面InGaN薄膜的生长。