发明名称 |
Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种Ag、Ti共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将清洗吹干的基材装夹在载物台上,正对离子束源;(2)Ar+离子束轰击基材,清洗和活化基材;(3)通入包含碳源气体和氩气的混合气体,采用Ag/Ti合金靶,固定或者旋转载物台在基材上制备Ag、Ti共掺杂的DLC薄膜。本发明制备出的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜,降低DLC薄膜的内应力,提高膜基结合力、薄膜韧性从而改善DLC薄膜的摩擦学及抗腐蚀性能。同时这种方法可以方便的调节Ag、Ti的掺杂量,提高生产效率。 |
申请公布号 |
CN102817008A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201210271357.4 |
申请日期 |
2012.08.01 |
申请人 |
南京航空航天大学 |
发明人 |
周飞;王谦之;付俊兴 |
分类号 |
C23C16/27(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/27(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
曹翠珍 |
主权项 |
Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1) 将清洗吹干的基材装夹在载物台上,正对离子束源;2) Ar+离子束轰击基材,清洗和活化基材;3) 通入包含碳源气体和氩气的混合气体,采用Ag/Ti合金靶,固定或者旋转载物台在基材上制备Ag、Ti共掺杂的DLC薄膜。 |
地址 |
210016 江苏省南京市御道街29号 |