| 发明名称 | AZO-黑硅异质结太阳能电池及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本发明的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102820348A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210311075.2 | 申请日期 | 2012.08.28 |
| 申请人 | 夏洋 | 发明人 | 夏洋 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0328(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人 | 赵芳;徐关寿 |
| 主权项 | AZO‑黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区华严里27号楼4门511号 | ||