带具有变化的阱厚度的多量子阱结构的基于III族氮化物的发光二极管结构

摘要

一种基于III族氮化物的发光二极管，包括基于p型III族氮化物的半导体层、与基于p型III族氮化物的半导体层形成P-N结的基于n型III族氮化物的半导体层、以及位于基于n型III族氮化物的半导体层上的基于III族氮化物的有源区域。有源区域包括包含相应阱层的多个顺次层叠的基于III族氮化物的阱。所述多个阱层包括具有第一厚度的第一阱层和具有第二厚度的第二阱层。第二阱层位于P-N结与第一阱层之间，并且第二厚度大于第一厚度。

主权项

一种基于III族氮化物的发光二极管，包括：基于p型III族氮化物的半导体层；基于n型III族氮化物的半导体层；以及位于基于p型III族氮化物的半导体层和基于n型III族氮化物的半导体层之间的基于III族氮化物的有源区域，所述有源区域包括多个顺次层叠的基于III族氮化物的阱层；其中，所述多个阱层包括具有第一厚度的第一阱层和具有第二厚度的第二阱层，所述第二阱层位于所述基于p型III族氮化物的半导体层与所述第一阱层之间，并且所述第二厚度大于所述第一厚度。