一种掺Er的GaN荧光粉及其制备方法

摘要

本发明公开了一种掺Er的GaN荧光粉及其制备方法。它的化学式为Ga(1-2x-y-z)Er2xCeyAzN，其中，A为元素Mg或Si，0.05%≤x≤5.0%，0.2x≤y≤2x,0.001%≤z≤0.01%。按摩尔比称取原料Ga(NO3)3·9H2O、Er2O3、CeO2及MgO或Si(OC2H5)4)，分别溶解并混合，蒸发溶剂后，将得到的块体研细成粉体，在氮气气氛、600～800℃的条件下处理，得到掺杂离子的Ga2O3材料。然后在NH3气氛、850～1050℃的条件下进一步处理，得到掺杂离子的GaN荧光粉。该方法能有效提高掺Er的GaN荧光粉的发光效率，同时，材料的导电性能得到改善。

主权项

一种掺Er的GaN荧光粉，其特征在于：化学式为Ga(1‑2x‑y‑z)Er2x Cey Az N，其中，A为元素Mg或Si，0.05%≤x≤5.0%，0.2x≤y≤2x, 0.001%≤z≤0.01%。