| 摘要 |
<p>본 발명은 측벽콘택의 재현성을 향상시킬 수 있는 반도체장치 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체장치 제조 방법은 기판을 식각하여 제1트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1트렌치의 양측벽을 덮는 제1스페이서를 형성하는 단계; 상기 제1트렌치 저면을 식각하여 제2트렌치를 형성하는 단계; 상기 제2트렌치의 양측벽을 덮는 제2스페이서를 형성하는 단계; 상기 제2트렌치의 저면을 식각하여 제3트렌치를 형성하는 단계; 상기 제3트렌치의 표면을 덮는 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2스페이서를 선택적으로 제거하여 상기 제2트렌치의 어느 하나의 측벽을 노출시키는 콘택을 형성하는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 폴리실리콘막 증착 및 에치백을 사용하지 않으면서 측벽콘택을 형성할 수 있으므로, 측벽콘택의 깊이 및 위치를 제어하기가 용이하다. 또한, 본 발명은 깊이 방향으로 연장되는 방식의 삼중 트렌치를 이용함에 따라 심이나 보이드의 영향으로부터 자유롭고 CMP 공정, 에치백 공정, 습식딥의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화와 하드마스크막패턴의 손실을 줄일 수 있는 효과가 있다.</p> |
