氮化物基发光装置的主基板

摘要

本发明公开了一种用于氮化物基薄膜半导体装置的主基板及其制作方法。依照一个实施例，本方法包括步骤：提供一个硅层；在硅层上蚀刻一个孔图案；在硅层上电镀铜以填满硅层上形成的孔；将硅层键合到一个氮化镓(GaN)层上，而GaN层是外延生长在蓝宝石基板上的外延层；去除蓝宝石基板。该主基板解决了热膨胀系数(CTE)不匹配的问题，并减小了由这种CTE不匹配引起的应力。金属和半导体材料的组合能够提供期望的导热和导电性能，同时能够随后切割并集成该成品半导体装置到其它电路里。

主权项

一种制作用于氮化物基薄膜半导体装置的主基板的方法，此方法包括：提供一个半导体层；在半导体层上蚀刻一个孔图案；在半导体层上电镀金属以填满半导体层上形成的孔；将半导体层键合到一个氮化镓层，而氮化镓层是外延生长在蓝宝石基板上的外延层；和去除蓝宝石基板。