晶片垂直退火的方法及其装置

摘要

本发明涉及晶片垂直退火的方法，它包括：将晶片放置在片架上，然后将若干个片架摞在一起；将摞在一起的片架放置在托架上，并将它们装入石英帽和石英管内，在石英帽内装入半导体材料，石英管通过焊接点或焊接面焊封在石英帽上，制得晶片垂直放置装置；将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉中；退火开始后，以1-10℃/分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到晶片材料0.5-0.8倍的晶片材料熔点温度时，保温4-18个小时，然后再以1-10℃/分钟的速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；将石英帽或/和石英管锯开取出晶片，完成了晶片的退火，本发明晶片垂直退火方法保证了每片晶片退火的温度均匀，提高了晶片成品率。

主权项

一种晶片垂直退火的方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)将晶片(4)放置在片架(3)上，然后将若干个片架(3)摞在一起；(2)将摞在一起的片架(3)放置在托架(5)上，石英帽(6)装在托架(5)的下端，在石英帽(6)内装入半导体材料(8)，装有晶片(4)的片架(3)、托架(5)和石英帽(6)的一部分焊封在石英管(2)内，石英管(2)通过焊接点或焊接面(7)焊封在石英帽(6)上，制得晶片垂直放置装置；(3)将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉(1)中；(4)退火开始后，以1‑10℃/分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到晶片材料0.5‑0.8倍的晶片材料熔点温度时，保温4‑18个小时，然后再以1‑10℃/分钟的速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；(5)将石英帽(6)或/和石英管(2)锯开取出晶片(4)，完成了晶片(4)的退火。