发明名称 M相耦合的磁元件以及相关的电感结构
摘要 一种M相耦合电感器,包括磁芯和M个绕组,其中M为大于1的整数。所述磁芯由芯材形成,并包括第一外置腿,所述第一外置腿形成第一缝隙。所述第一缝隙包括第一缝隙材料,所述第一缝隙材料具有的导磁率低于所述芯材的导磁率。每个绕组至少部分地缠绕所述磁芯的至少一部分,每个绕组具有各自的漏电感。所述第一缝隙使得所述漏电感大于所述第一外置腿未形成所述第一缝隙时的漏电感。所述耦合电感器可用于电源中,且所述电源可用于计算设备中。
申请公布号 CN102007553B 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN200980113783.1 申请日期 2009.03.16
申请人 沃特拉半导体公司 发明人 亚历山德·伊克拉纳科夫;安东尼·斯特拉塔科夫
分类号 H01F37/00(2006.01)I 主分类号 H01F37/00(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人 余朦;王艳春
主权项 一种M相耦合电感器,其中M为大于1的整数,所述耦合电感器包括:磁芯,由芯材形成,所述磁芯包括:相对的第一和第二端部磁性元件;M个相邻的内置腿,其中每个相邻的内置腿均设置在所述第一和第二端部磁性元件之间,并与所述第一和第二端部磁性元件连接;以及第一外置腿,在所述第一和第二端部磁性元件的第一端处与所述第一和第二端部磁性元件连接,所述第一端在所述M个相邻的内置腿的外部,所述第一外置腿包括沿所述第一外置腿纵向的第一缝隙,所述第一缝隙的厚度小于所述第一和第二端部磁性元件在第一端处的间隔距离,所述第一缝隙包括第一缝隙材料,所述第一缝隙材料具有的导磁率低于所述芯材的导磁率;以及M个绕组,每个绕组分别至少部分地缠绕一个相应的内置腿的至少一部分,每个绕组具有各自的漏电感,其中,所述第一外置腿提供漏磁通道以增加所述M个绕组中各绕组的漏电感;以及其中,每个内置腿具有各自的宽度,相邻的内置腿之间的分隔距离小于相邻内置腿中的任意一个的宽度的25%。
地址 美国加利福尼亚州
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