一种应变SiGe垂直回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变SiGe垂直回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法，在Si衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备隔离，在双极器件区域制备Si双极晶体管；在衬底NMOS和PMOS器件有源区上分别连续生长N型Si 、N型应变SiGe等，在NMOS器件有源区分别制备漏极、栅极和源区，完成NMOS器件制备；在PMOS器件有源区淀积SiO2和Poly-Si，制备虚栅极，形成栅侧墙，形成PMOS器件源、漏；刻蚀虚栅，制成 BiCMOS集成器件及电路；本发明充分利用了应变SiGe材料在垂直方向电子迁移率和水平方向空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在低温工艺下，制造出性能增强的BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种应变SiGe垂直回型沟道BiCMOS集成器件，其特征在于，所述双应变平面BiCMOS器件采用普通Si双极晶体管，应变SiGe垂直沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。