| 摘要 |
<p>본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법에 대한 것으로서, 이 방법은 기판 상에 전도성 박막층 또는 반도체 박막층을 형성하는 단계, 상기 전도성 박막층 또는 반도체 박막층 상부에 유기 강유전체 박막층을 형성하는 단계, 상기 유기 강유전체 박막층을 소정의 형태로 패터닝 하는 단계 및 상기 패터닝 된 유기 강유전체 박막층 상부에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명에 따른 투명 및 유연 비휘발성 메모리 소자는 P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체 박막층으로 구성하고, 유기 강유전체 박막층의 내약품성 및 공정 의존성을 고려한 소자의 제조 방법을 제공함으로써, 저온 공정이 가능하고, 저렴하게 제작이 가능한 투명 및 유연 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.</p> |
