| 发明名称 | 铝刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 一种铝刻蚀的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有铝层，所述铝层表面具有光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀去除部分所述铝层；在干法刻蚀后，去除所述光刻胶层；在去除光刻胶层后，采用第一清洗液对所述刻蚀后的铝层进行冲洗，所述第一清洗液为水或醇类溶液。所述铝刻蚀方法能够减少刻蚀完成后铝层的腐蚀，使所形成的半导体器件良率提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102820261A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210301611.0 | 申请日期 | 2012.08.22 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王敬平;彭精卫;许昕睿;周广伟 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种铝刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有铝层；采用干法刻蚀工艺去除部分所述铝层，所述干法刻蚀的气体含有氯气；在干法刻蚀后，采用第一清洗液对所述刻蚀后的铝层进行冲洗，所述第一清洗液为水或醇类溶液。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||