低温二氧化硅薄膜的形成方法

摘要

本发明公开了一种低温二氧化硅薄膜的形成方法，包括：利用SiH4和氧源沉积低温二氧化硅薄膜，沉积温度小于300℃；以及采用含氧气体对所述低温二氧化硅薄膜进行原位等离子体处理。本发明是在低温二氧化硅薄膜沉积后，将含氧气体通入反应腔内，在反应腔内直接产生等离子体，由于这种等离子体含有许多活性氧离子、氧原子、氧分子等等各种活性氧化粒子，会取代低温二氧化硅中的Si-H键的氢而变为稳定的Si-O键，从而消除了低温二氧化硅薄膜性质随着时间变化而变化的这一特点，可使该低温二氧化硅薄膜达到稳定状态，提高光刻工艺中图形的准确度，并提高关键尺寸的均匀度。

主权项

一种低温二氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括：S1：利用SiH4和氧源沉积低温二氧化硅薄膜，沉积温度小于300℃；S2：采用含氧气体对所述低温二氧化硅薄膜进行原位等离子体处理。