发明名称 |
一种三氯氢硅合成系统 |
摘要 |
本发明公开了一种三氯氢硅合成系统,包括三氯氢硅合成装置和尾气处理设备,所述尾气处理设备将来自所述三氯氢硅合成装置的合成尾气进行尾气处理,所述尾气处理设备包括依次连接的沉降装置、气体过滤装置、冷凝器以及吸附塔,其中,所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯,且所述气体过滤装置用于将来自所述沉降装置的合成尾气进行过滤后输送给所述冷凝器,所述冷凝器用于将过滤后的合成尾气分离为液体的氯硅烷与气态的氢气和氯化氢,所述吸附塔用于吸附气态的氯化氢,以得到氢气。根据本发明实施例的三氯氢硅合成系统,由于采用设置有陶瓷滤芯的气体过滤装置,该过滤装置具有耐高温,耐腐蚀的优良特性,而且材质稳定,不会对多晶硅产品质量造成影响。 |
申请公布号 |
CN102815706A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201210285363.5 |
申请日期 |
2012.08.10 |
申请人 |
中国恩菲工程技术有限公司 |
发明人 |
万烨;严大洲;毋克力;肖荣晖;汤传斌 |
分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
宋合成;黄德海 |
主权项 |
一种三氯氢硅合成系统,所述合成系统包括三氯氢硅合成装置和尾气处理设备,所述尾气处理设备将来自所述三氯氢硅合成装置的合成尾气进行尾气处理,所述尾气处理设备包括依次连接的沉降装置、气体过滤装置、冷凝器以及吸附塔,其中,所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯,且所述气体过滤装置用于将来自所述沉降装置的合成尾气进行过滤后输送给所述冷凝器,所述冷凝器用于将过滤后的合成尾气分离为液体的氯硅烷与气态的氢气和氯化氢,所述吸附塔用于吸附气态的氯化氢,以得到氢气。 |
地址 |
100038 北京市海淀区复兴路12号 |