| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法，该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏，可靠性高。本发明如下制造半导体装置：形成具有使用单晶半导体基板或SOI基板形成的半导体元件的元件基板，在元件基板上设置有机化合物或无机化合物的纤维体，通过自元件基板及纤维体上方涂布包含有机树脂的组合物，加热，从而在元件基板上形成有机树脂浸渍在有机化合物或无机化合物的纤维体的密封层。 | ||
| 申请公布号 | CN101276767B | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN200810087967.2 | 申请日期 | 2008.03.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 道前芳隆;杉山荣二;大谷久;鹤目卓也 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在元件基板的第一表面上设置第一纤维体，该元件基板具有有源元件；自所述第一纤维体和所述元件基板上方涂布包含第一有机树脂的第一组合物，使所述第一纤维体被所述第一有机树脂浸渍；以及在涂布所述第一组合物之后，通过对所述元件基板进行加热，形成包括所述第一纤维体和所述第一有机树脂的第一密封层，在所述元件基板的第二表面上设置第二纤维体，该第二表面与所述元件基板的第一表面相反；对所述第二纤维体和所述元件基板涂布包含第二有机树脂的第二组合物，使所述第二纤维体被所述第二有机树脂浸渍；在涂布所述第二组合物之后，通过对所述元件基板进行加热，形成包括所述第二纤维体和所述第二有机树脂的第二密封层，其中所述第一纤维体的经纱或纬纱的方向与第二纤维体的经纱或纬纱的方向相差30°～60°，并且所述密封层的厚度大于或等于10微米且小于或等于100微米。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||