发明名称 |
蚀刻后聚合物残留除去方法 |
摘要 |
一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统,包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留,其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。 |
申请公布号 |
CN101802983B |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN200880107210.3 |
申请日期 |
2008.06.20 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
尹秀敏;马克·威尔考克森;朱吉;庄凯文;小伟·庄;娄大卫 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
周文强;李献忠 |
主权项 |
一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法,包含:确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质,该干式快速化学物质被配置为选择性地除去区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留,其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征,该干式快速化学物质是由干式清洁化学物质组成的;以介于5毫托至40毫托的压强使用短快速处理施用确定的干式快速化学物质到该衬底表面上,其中,短快速处理定义为将该衬底表面暴露于该干式快速化学物质持续介于3秒至20秒的短暴露时间,干式快速化学物质的该短快速施用能够除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分;以及向该衬底表面施用湿式清洁化学物质,该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |