| 发明名称 | 一种既能耐受高浓度As(Ⅲ)又能氧化As(Ⅲ)的基因工程菌及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明属于基因工程及环境保护领域，公开了一种既能耐受高浓度As(III)又能氧化As(III)的基因工程菌及其应用。该基因工程菌分类命名为恶臭假单胞菌(Pseudomonasputida)AS-02，保藏于典型培养物保藏中心，保藏编号为：CCTCC NO：M 209215。该基因工程菌对As(III)的耐受性达到800mg/L，氧化能力达91.7％，遗传稳定性较好，可用于处理高浓度含砷废水，对降低废水毒性，改善后续处理效果，具有非常重要的环保价值。 | ||
| 申请公布号 | CN102146353B | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN200910265238.6 | 申请日期 | 2009.12.18 |
| 申请人 | 南京工业大学 | 发明人 | 徐炎华;杨春艳;颜立敏;许琳;杨洁 |
| 分类号 | C12N1/21(2006.01)I;C02F3/34(2006.01)I;C12R1/40(2006.01)N;C02F101/20(2006.01)N | 主分类号 | C12N1/21(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人 | 徐冬涛;刘成群 |
| 主权项 | 一种恶臭假单胞菌基因工程菌，其分类命名为恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida)AS‑02，已保藏于中国典型培养物保藏中心，保藏编号为：CCTCC NO：M209215。 | ||
| 地址 | 210009 江苏省南京市新模范马路5号 | ||