| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件。一种器件，包括：半导体衬底；穿透半导体衬底的第一穿透电极；第一测试焊盘；和耦合在第一穿透电极和第一测试焊盘之间的第一三态缓冲器。第一三态缓冲器在其控制端子上接收缓冲器控制信号。该器件进一步包括为第一三态缓冲器提供缓冲器控制信号的缓冲器控制电路。 | ||
| 申请公布号 | CN102820283A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210189126.9 | 申请日期 | 2012.06.08 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 石川透 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种器件，包括：半导体衬底；第一穿透电极，所述的第一穿透电极穿透所述半导体衬底；第一测试焊盘；第一三态缓冲器，所述第一三态缓冲器耦合在所述第一穿透电极和所述第一测试焊盘之间并且在其控制端子上接收缓冲器控制信号；以及缓冲器控制电路，所述缓冲器控制电路为所述第一三态缓冲器提供所述缓冲器控制信号。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||