发明名称 | 电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种发光二极管装置,其包括外延叠层以及电流扩散层。外延叠层依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层。电流扩散层设置于外延叠层的第一半导体层上,且电流扩散层具有微纳米粗化结构层及透明导电层,其中微纳米粗化结构层具有多个镂空部,而透明导电层覆盖微纳米粗化结构层的表面及这些镂空部中。另外,本发明亦披露一种发光二极管装置的制造方法以及一种具有微纳米结构的电流扩散层。 | ||
申请公布号 | CN102820396A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
申请号 | CN201210299696.3 | 申请日期 | 2007.06.05 |
申请人 | 台达电子工业股份有限公司 | 发明人 | 王宏洲;薛清全;陈世鹏;陈朝旻;陈煌坤 |
分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
主权项 | 一种发光二极管装置,包括:外延叠层,依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层;以及电流扩散层,与该外延叠层连结,该电流扩散层具有微纳米粗化结构层及透明导电层,该微纳米粗化结构层具有多个镂空部,该透明导电层覆盖于该微纳米粗化结构层的表面及这些镂空部。 | ||
地址 | 中国台湾桃园县 |