| 发明名称 | 用于TFT干刻工艺中的界面层处理方法 | ||
| 摘要 | 一种用于TFT干刻工艺中的界面层处理方法，其将RF功率由3200w提高为4000w～5000w，腔体压力由12Pa调整为6～9Pa，所述混合气体包括100标准毫升每分钟的SF6、500标准毫升每分钟的He、800标准毫升每分钟的O2。通过调整RF的参数及混合气体的压力参数，可以更均匀地去除掉界面层，从而改善了对随后a-Si层刻蚀的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN102820224A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201110154075.1 | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 上海中科高等研究院 | 发明人 | 张其国;于涛;郭晓东;申剑锋 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种对半导体a‑Si膜层和金属膜层之间的界面层预处理工艺的改善方法，其特征在于，将RF功率由3200w提高为4000w～5000w，腔体压力由12Pa调整为6～9Pa。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区海科路99号 | ||