发明名称 包含异腈配体的金属络合物、包括该金属络合物的电子器件及其制造方法
摘要 本发明涉及包括包含异腈配体的金属络合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。
申请公布号 CN102077380B 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN200980125432.2 申请日期 2009.07.08
申请人 默克专利有限公司 发明人 菲利普·施特塞尔;霍尔格·海尔;多米尼克·约斯滕;克里斯托夫·普夫卢姆;安雅·格哈德
分类号 H01L51/00(2006.01)I 主分类号 H01L51/00(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 郭国清;樊卫民
主权项 1.包括至少一种式(1)的金属络合物的电子器件:<img file="FSB00000905911200011.GIF" wi="422" he="87" />式(1)其中以下适用于使用的符号和下标:M是五配位或六配位的过渡金属;L每次出现时相同或不同地是与金属M结合的单齿、二齿或三齿配体,且可以被一个或多个基团R<sup>1</sup>取代;此处的配体L也可以与异腈基团的R基结合;R每次出现时相同或不同地是具有1至60个C原子的有机取代基,其可以被一个或多个取代基R<sup>1</sup>取代;此处的多个基团R也可以彼此连接从而形成多齿配体;此外,所述基团R也可以与配体L连接;R<sup>1</sup>每次出现时相同或不同地是H、D、F、Cl、Br、I、N(R<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、CN、NO<sub>2</sub>、Si(R<sup>2</sup>)<sub>3</sub>、B(OR<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、C(=O)R<sup>2</sup>、P(=O)(R<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、S(=O)R<sup>2</sup>、S(=O)<sub>2</sub>R<sup>2</sup>、OSO<sub>2</sub>R<sup>2</sup>、具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基或具有2至40个C原子的直链烯基或炔基或具有3至40个C原子的支链或环状烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基,其各自可以被一个或多个基团R<sup>2</sup>取代,其中一个或多个非相邻的CH<sub>2</sub>基团可以被R<sup>2</sup>C=CR<sup>2</sup>、C≡C、Si(R<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、Ge(R<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、Sn(R<sup>2</sup>)<sub>2</sub>、C=O、C=S、C=Se、C=NR<sup>2</sup>、P(=O)(R<sup>2</sup>)、SO、SO<sub>2</sub>、NR<sup>2</sup>、O、S或CONR<sup>2</sup>替代,以及其中一个或多个H原子可以被以下基团替代:D、F、Cl、Br、I、CN或NO<sub>2</sub>;或具有5至60个芳环原子的芳族或杂芳族环系,其在各种情况下可以被一个或多个基团R<sup>2</sup>取代,或具有5至60个芳环原子的芳氧基或杂芳氧基,其可以被一个或多个基团R<sup>2</sup>取代,或具有10至40个芳环原子的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基,其可以被一个或多个基团R<sup>2</sup>取代;或这些体系的组合;此处两个或多个取代基R<sup>1</sup>也可以彼此形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠合环系;R<sup>2</sup>每次出现时相同或不同地是H、D、F或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基,其中此外一个或多个H原子可以被D或F替代;此处两个或多个取代基R<sup>2</sup>也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系;x是3、4、5或6;y是0、1、2或3,条件是金属上的配位数达到5或6。
地址 德国达姆施塔特