半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。在阱(5)中，形成用于在栅极宽度方向在阱(5)中设置凹凸的沟槽部(10)，隔着绝缘膜(7)在沟槽部(10)的内部和上表面部形成栅电极(2)。在栅电极(2)的栅极长度方向的一侧形成源极区域(3)，在另一侧形成漏极区域(4)。源极区域(3)和漏极区域(4)都被形成到栅电极(2)底部附近(沟槽部(10)的底部附近)的深度。这样，将源极区域(3)和漏极区域(4)形成得较深，由此，能够使集中地在栅电极(2)部位处的较浅部分流动的电流一样地在沟槽部(10)整体流动，利用形成在阱(5)中的凹凸使有效的栅极宽度变宽。因此，半导体装置(1)的导通电阻降低，驱动能力提高。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底上形成第一导电类型的阱；在上述第一导电类型的阱内形成第二导电类型的阱；在上述第二导电类型的阱中央，将浓度比上述第二导电类型的阱高的第一导电类型的离子导入到从上述半导体衬底表面到比上述第二导电类型的阱的底面深的部位，将上述第二导电类型的阱分为两部分；以比上述第二导电类型的阱隔离用离子注入区域的宽度大、并且比上述第二导电类型的阱隔离用离子注入区域的底面浅的方式形成凹部；在上述凹部的上表面以及内部形成绝缘膜之后，隔着该绝缘膜在上述凹部的上表面以及内部形成栅电极，并由上述栅电极填充上述内部；在上述第二导电类型的阱中注入第二导电类型的离子，形成源极区域和漏极区域，该源极区域和漏极区域隔着上述绝缘膜分别与上述栅电极连接并分别具有一样的深度，其中，形成在上述凹部的上表面的栅电极与形成在上述凹部的内部的栅电极相比，其在沟道纵向的长度较短地形成，上述源极区域和上述漏极区域不配置在上述凹部的下方。