| 发明名称 | 一种化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法用于对在集成电路的后端互连结构制备过程中的晶圆上的硅玻璃层进行平坦化处理，其包括以下步骤：主要对所述晶圆的边缘进行研磨；第一冲洗；主要对所述晶圆的进行研磨；以及第二冲洗。使用该CMP方法处理的晶圆的研磨面缺陷少，并且成本低、省时省力。 | ||
| 申请公布号 | CN102814725A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201110151797.1 | 申请日期 | 2011.06.08 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 杨贵璞;张礼丽;李万山;李飞;徐娟 |
| 分类号 | B24B37/00(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/00(2012.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李湘;高为 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，用于对在集成电路的后端互连结构制备过程中的晶圆上的硅玻璃层进行平坦化处理，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）主要对所述晶圆的边缘进行研磨；（2）第一冲洗；（3）主要对所述晶圆的中央进行研磨；以及（4）第二冲洗。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||