| 发明名称 | 磁阻感测元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种磁阻感测元件及其形成方法，其用以在具有第一介电层的基板上方形成多功能电路结构与磁阻结构，且多功能电路结构与磁阻结构形成上下交叠的配置。本发明磁阻感测元件及其形成方法可降低该磁阻感测元件布局所需占用的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102820424A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210158018.5 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 宇能电科技股份有限公司 | 发明人 | 刘富台;汪大镛;彭伟栋;汤泰郎 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人 | 杨波 |
| 主权项 | 一种磁阻感测元件，其特征是，其包括:基板，具有设置在该基板上方的第一介电层；至少一多功能电路结构，形成于该基板上方；磁阻结构，形成于该基板上方，且该多功能电路结构与该磁阻结构形成上下交叠的配置。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市台元街28号5楼之2 | ||