发明名称 |
多晶硅太阳能电池扩散方法 |
摘要 |
本发明涉及一种多晶硅太阳能电池扩散方法,其特征在于该扩散方法的工艺步骤如下:进舟→升温→氧化→扩散→再分布→降温→出舟,其中扩散步骤先进行低温预沉积再进行高温扩散。本发明由于低温下磷源无法完成与硅片的反应,因此扩散第一步低温通源时只进行低温预沉积,磷源无法向硅片体内扩散(或进行速率非常低的扩散),而仅在硅片表面堆积,经过一定时间通源后,硅片表面形成一定厚度的磷膜;第二步高温通源时才进行高温扩散,原硅片表面的磷与硅片反应,并向硅片体内扩散,此时硅片中心点与四周扩散速率相同,因此扩散均匀性较好,硅片表面及体内杂质浓度分布均匀,提高硅片方阻均匀性,从而提高电池片最终光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN102820383A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201210333850.4 |
申请日期 |
2012.09.11 |
申请人 |
江阴鑫辉太阳能有限公司 |
发明人 |
赵贵燕;邱军辉;王世贤;龚丽坤 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
江阴市同盛专利事务所 32210 |
代理人 |
唐纫兰;曾丹 |
主权项 |
一种多晶硅太阳能电池扩散方法,其特征在于该扩散方法的工艺步骤如下:步骤一、进舟制绒后的硅片进入扩散炉中,在硅片进舟过程中向扩散炉的进气管通入大氮;步骤二、升温扩散炉升温至770~790℃,在升温过程中保持通入大氮;步骤三、氧化保持扩散炉的温度为770~790℃,向扩散炉中通入大氮和氧气; 步骤四、扩散4.1、低温预沉积保持扩散炉的温度为770~790℃,向扩散炉中通入大氮、氧气以及携源小氮; 4.2、高温扩散扩散炉升温至825~850℃,向扩散炉中通入大氮、氧气以及携源小氮; 步骤五、再分布保持扩散炉的温度为825‑850℃,停止通携源小氮,继续向扩散炉中通入大氮和氧气;步骤六、降温扩散炉的温度降为770~790℃,停止通携源小氮,继续向扩散炉中通入大氮和氧气;步骤七、出舟在硅片出炉过程中向扩散炉中继续通入大氮。 |
地址 |
214426 江苏省无锡市江阴市新桥镇工业园区 |