| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制备方法，其中，通过化学机械平坦化处理去除多余的铝并形成铝栅极之后，使用H2O2溶液对暴露出来的铝栅极表面进行氧化处理，从而形成氧化铝薄膜，最后再对半导体器件进行清洗处理。经过本发明的这种处理，能够使经过化学机械平坦化处理的铝栅极表面得到保护，避免形成侵蚀和凹坑。 | ||
| 申请公布号 | CN102820216A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201110152847.8 | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 蒋莉;黎铭琦;朱普磊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 马景辉 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供沉积有铝的衬底的步骤；化学机械平坦化步骤，对沉积有铝的衬底进行化学机械平坦化处理，从而形成铝栅极并且露出铝栅极的表面；氧化步骤，使用H2O2溶液对经过化学机械平坦化处理的铝栅极表面进行氧化处理，从而在铝栅极表面形成氧化铝薄膜；以及清洗步骤，对所述衬底进行清洗。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||