发明名称 |
能够提高存储器使用寿命的电路和方法 |
摘要 |
本发明涉及一种使用长寿命的非易失性存储芯片提高原有的多种内部或外部非易失性存储器使用寿命的电路和方法。本发明在不改变现有各种非易失性存储器的硬件结构、接口类型、封装形式和使用方式的情况下,只是在原有硬件结构的基础上通过增加长寿命的非易失性存储芯片、在存储器主引导记录中原有的存储器存储地址基础上增加长寿命存储器地址,修改原有设备驱动程序或者修改操作系统,就可以大幅度提高使用寿命的电路和方法。 |
申请公布号 |
CN101176075B |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN200680016865.0 |
申请日期 |
2006.04.27 |
申请人 |
程滋颐 |
发明人 |
程滋颐 |
分类号 |
G06F12/00(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/00(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
江镇华 |
主权项 |
一种能够提高存储器使用寿命的电路,包括:主存储介质控制器,所述主存储介质控制器的功能和用途是:它控制主存储介质的数据存取,它和主存储介质一起构成主存储器,其特征在于,还包括:长寿命非易失性存储介质控制器,所述长寿命非易失性存储介质控制器的功能和用途是:它有控制长寿命非易失性存储介质存取需要频繁读写的数据的能力,它和长寿命非易失性存储介质一起构成长寿命存储器,存储控制器、主存储器和长寿命存储器一起构成存储器;所述长寿命非易失性存储介质是指:a.比主存储介质更多的重复读写次数的非易失性存储介质;b.比主存储介质更加不容易损坏的非易失性存储介质。 |
地址 |
300190 中国天津市南开区白堤路风荷东园4-4-501 |