METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR WAFER

摘要

본 발명은 반도체 웨이퍼의 소정의 깊이 위치로 초점 위치를 맞추고 소정의 깊이 위치에서 반도체 웨이퍼의 특정 부분에만 다광자 흡수 공정을 발생시켜 게터링 싱크를 형성하도록 반도체 웨이퍼의 어느 한 면에 레이저 빔을 조사하는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.