| 摘要 |
<p>본 발명은 정전용량 지문센서에 관한 것으로, 정전용량의 차이를 1차로 감지 및 증폭을 하고, 픽셀내에서 그 증폭된 신호를 다시 2차로 증폭함으로써 센싱감도를 향상시킬 수 있고, 센싱감도의 향상에 따라 센서 상부 보호막의 두께를 크게 할 수 있어 ESD나 물리적 충격에 강한 효능이 있다. 본 발명에 의한 정전용량 지문센서는 인체의 지문을 감지하는 지문 감지 전극(Cfp)과, 상기 지문 감지 전극의 출력 전압에 따라 자신을 통해 흐르는 전류의 량이 변하는 제 1 트랜지스터(T1)와, 상기 제 1 트랜지스터(T1)를 통해 흐르는 전류 차이에 의해 자신을 통해 흐르는 전류의 량이 변하는 제 2 트랜지스터(T2)와, 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극을 리셋해주고 펄스 신호를 통해 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극을 용량 결합(capacitive coupling) 시켜주는 제 3 트랜지스터(T3)를 포함하고 있다.</p> |
