| 摘要 |
1. Подложка активной матрицы, содержащая:линию сигнала данных;первую изолирующую пленку;вторую изолирующую пленку;транзистор;первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;второй электрод пикселя;первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя;ивторой электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя,при этомвторой электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя,второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, ивторой электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.2. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая:линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.4. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.5. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.6. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.7. Подложка � |
