| 摘要 |
<p>본 발명은, 웨이퍼 플라즈마 식각을 위하여 내부가 진공상태 유지 가능한 구조로 구성되는 식각 가공실과 웨이퍼 처리를 위한 처리 가공실이 내부에 상하로 배열되고 식각 가공실과 처리 가공실 사이를 개방 및 밀폐시키는 밀폐셔터를 포함하는 챔버와, 각 가공실 내부에 인입 가능하도록 이송되는 서셉터와, 웨이퍼 식각을 위한 플라즈마 발생기와, 웨이퍼 상면으로 플라즈마가 인입되지 아니하도록 웨이퍼 상면의 중심부 영역을 덮는 플라즈마 절연체를 포함하여, 웨이퍼의 식각 및 세정, 건조공정을 연속적으로 수행 할 수 있으므로 웨이퍼 가공공정 시간을 단축시킬 수 있고 웨이퍼 상면에 위치하는 패턴의 손상 없이 웨이퍼의 주변부를 식각할 수 있으며 웨이퍼 식각공정과 세정공정 사이에 웨이퍼가 대기로 노출되는 시간이 없으므로 반응성 입자가 발생되지 아니하는 웨이퍼 가공장치를 제공한다.</p> |
