| 摘要 |
<p>Circuit intégré d'une plaque de silicium sur isolant, et procédé de fabrication correspondant, comportant au dessus d'un support semi-conducteur , au moins un guide d'ondes coplanaire (CPW), au moins une liaison traversante électriquement conductrice (TSV) débouchant sur la face du support opposée à celle supportant le guide d'ondes coplanaire et traversant le support semi-conducteur, et au moins une tranchée (CL) disposée sous le guide d'ondes s'étendant sur au moins toute la longueur du guide d'ondes et ayant sensiblement la même profondeur que ladite liaison traversante électriquement conductrice.</p> |
