EPITAXIAL-WAFER UND HALBLEITERELEMENT

摘要

Ein Siliciumkarbid-Halbleiterelement (101) weist folgendes auf: ein n-leitendes Siliciumkarbid-Substrat (1), in das ein Dotierstoff mit einer durch Dotieren abnehmenden Gitterkonstante, wie z. B. Stickstoff, mit einer Konzentration C dotiert ist; eine n-leitende, epitaxial aufgewachsene Siliciumkarbid-Schicht (3), in die der gleiche Dotierstoff wie bei dem Siliciumkarbid-Substrat (1) mit einer geringeren Konzentration als der Konzentration des Siliciumkarbid-Substrats dotiert ist; und eine n-leitende Pufferschicht, in die der Dotierstoff dotiert ist, zwischen dem Siliciumkarbid-Substrat (1) und der epitaxial aufgewachsenen Siliciumkarbid-Schicht (3). Eine Pufferschicht (2) ist mit einer mehrlagigen Struktur ausgebildet, die zwei oder mehr aufeinander geschichtete Lagen mit der gleichen Dicke aufweist, wobei die Pufferschicht derart ausgebildet ist, dass eine Dotierungskonzentration einer K-ten Schicht ausgehend von der Seite der epitaxial aufgewachsenen Siliciumkarbid-Schicht (3) C·K/(N + 1) beträgt, wobei N die Anzahl der Lagen der mehrlagigen Struktur darstellt.