Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors mit hoher Durchbruchspannung

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors, umfassend: – Aufwachsen einer ersten epitaktischen Schicht (2a) auf ein Halbleitersubstrat (1), wobei die erste epitaktische Schicht (2a) in einem ersten Teilschritt mit einer Grunddotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp bis zu einer Unterkante einer Stromverteilerschicht (23) und in einem zweiten Teilschritt mit einer gegenüber der Grunddotierung erhöhten ersten Dotierung des ersten Leitfähigkeitstyps bis mindestens zur Oberkante der Stromverteilerschicht (23) aufgewachsen wird, wodurch die Stromverteilerschicht (23) ausgebildet wird; – Implantieren eines abschnittsweise ausgebildeten Inselgebietes (3) in die erste epitaktische Schicht (2a) von einer Oberfläche der ersten epitaktischen Schicht (2a) aus, wobei durch nicht implantierte Abschnitte der ersten epitaktischen Schicht (2a) ein erstes Halbleitergebiet (21) mit einer Grunddotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp und mit einer Kanalöffnung (210) zwischen Teilgebieten (31, 32) des Inselgebiets (3) ausgebildet wird; – Aufwachsen mindestens einer zweiten epitaktischen Schicht (2b) auf der ersten epitaktischen Schicht (2a) und damit Ausbilden eines zweiten...