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LED, mit – einer lichtemittierenden Struktur aus einer n-dotierten Hüllschicht (104), einer aktiven Schicht (106) und einer p-dotierten Hüllschicht (108), welche auf einen Injektionsstrom Licht erzeugen; – einer auf der p-dotierten Hüllschicht (108) gebildeten p-dotierten ohmschen Kontaktschicht (110) mit hoher Trägerkonzentration aus AlGaAs, GaAsP oder GaP; – einer gemusterten ohmschen Metall-Kontaktschicht (112), die auf einer p-dotierten ohmschen Kontaktschicht (110) gebildet ist; – einer transparenten leitenden Oxidschicht (114), die auf der p-dotierten ohmschen Kontaktschicht (110) gebildet ist, um die gemusterte ohmsche Metall-Kontaktschicht (112) zu überdecken; – einer reflektierenden Metallschicht (116), die auf der transparenten leitenden Oxidschicht (114) gebildet ist, sodass die transparente leitende Oxidschicht (114) die reflektierende Metallschicht (116) an einer Reaktion mit der p-dotierten ohmschen Kontaktschicht (110) hindert; und – mit einem leitenden Basissubstrat (120), welches auf der reflektierenden Metallschicht (116) gebildet ist.
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