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Beschrieben ist ein Halbleiterbauelement. Das Halbleiterbauelement umfasst: Ein Sourcegebiet (12), ein Draingebiet (14), ein Bodygebiet (13) und ein Driftgebiet (11) in einem Halbleiterkörper, wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist; ein Kompensationsgebiet (31), das an das Driftgebiet (11) angrenzt; eine Sourceelektrode (51), die das Sourcegebiet (12) und das Bodygebiet (13) elektrisch kontaktiert; eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist; eine Kopplungsanordnung (40), die einen Steueranschluss (G2) aufweist und die dazu ausgebildet ist, das Kompensationsgebiet (31) abhängig von einem dem Steueranschluss (G2) zugeführten Steuersignal an wenigstens eines von dem Bodygebiet (13), dem Sourcegebiet (12), der Sourceelektrode (51) und der Gateelektrode (21) zu koppeln.
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