Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Maskenschicht (205) über einem ersten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet (203A) und einem zweiten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet (203B), wobei das erste und das zweite siliziumenthaltende kristalline Halbleitergebiet lateral durch ein Isolationsgebiet (204) getrennt sind; Entfernen der Maskenschicht (205) mittels eines ersten plasmaunterstützten Ätzprozesses von dem ersten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet (203A), während die Maskenschicht (205) über dem zweiten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet (203B) beibehalten wird; Verringern einer Dicke des ersten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiets (203A) mittels eines zweiten plasmaunterstützten Ätzprozesses, der zum Ätzen des ersten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiets (203A) besser geeignet ist als der erste plasmaunterstützte Ätzprozess, um einen Höhenunterschied zwischen dem ersten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet (203A) und dem Isolationsgebiet (204) zu verringern; danach Ausführen eines nasschemischen Ätzprozesses zum weiteren Absenken des ersten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiets (203A); Bilden einer schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung (209) auf dem abgesenkten ersten siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet (203A); Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur...