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Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente mit Transistoren, die komplexe Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; und eine verformungsinduzierende Halbleiterlegierung aufweisen, wird die Gleichmäßigkeit und das Leistungsverhalten der Transistoren verbessert, indem verbesserte Aufwachsbedingungen während des selektiven epitaktischen Aufwachsprozesses geschaffen werden. Dazu wird ein Halbleitermaterial an den Isolationsgebieten bewahrt, um damit die Ausbildung ausgeprägter Schultern zu vermeiden. In einigen anschaulichen Ausführungsformen werden zusätzliche Mechanismen eingerichtet, um einen unerwünschten Materialverlust beispielsweise beim Entfernen eines dielektrischen Deckmaterials und dergleichen zu vermeiden.
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