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Halbleiterdiode aufweisend: – einen Halbleiterkörper mit einer vorderseitigen Fläche und einer rückseitigen Fläche, – eine Diodenstruktur mit einer Anodenelektrode und einer Kathodenelektrode, und – eine auf der rückseitigen Fläche des Halbleiterkörpers angeordnete Widerstandsschicht, die einen integrierten Widerstand bereitstellt, wobei die Anodenelektrode oder die Kathodenelektrode ein Elektrodenmaterial auf der Widerstandsschicht bereitstellt und die rückseitige Fläche der Halbleiterdiode vollständig bedeckt und wobei die Dicke d der Widerstandsschicht im Bereich von etwa 50 μm ≤ d ≤ 500 μm liegt.
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