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Nach dem Entfernen von Abscheidungen auf eine Aufnahme in einem Epitaxiewachstumsofen durch ein Reinigungsrezept (Schritt S101) wird ein erster Epitaxialwafer durch Wachsen einer Epitaxieschicht auf einem ersten Wafer, basierend auf einem Prozessrezept A hergestellt (Schritt S102). Anschließend wird ein Schritt des Herstellens eines Epitaxialwafers durch Wachsen einer Epitaxieschicht auf einem Wafer, basierend auf einem Prozessrezept B umfassend zweite Steuerparameter, welche derart festgesetzt sind, dass der Epitaxialwafer näherungsweise das gleiche Schichtdickenprofil wie der erste Wafer ausweist (Schritt S103), eine Vielzahl von Malen wiederholt, um aufeinanderfolgend eine Vielzahl von Epnigungsrezept, das Prozessrezept A und das Prozessrezept B, welches eine Vielzahl von Malen wiederholt wird, werden wiederholt ausgeführt (Schritt S105).
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