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<p>본 발명은 오픈 비트 라인 구조의 반도체 장치에 관한 것으로, 복수의 비트 라인이 형성되는 복수의 메모리 셀 블록들 및 더미 매트들을 포함하는 메모리 뱅크; 상기 복수의 메모리 셀 블록들 및 더미 매드들 사이에 배열되며, 서로 반대 방향으로 연장되는 비트 라인과 상보 비트 라인 간의 차를 비교하여 증폭하는 비트 라인 센스 앰프; 및 테스트 모드에 응답하여 상기 더미 매트의 더미 워드 라인을 선택적으로 활성화시키는 더미 워드 라인 구동부를 포함한다.</p> |
