发明名称 实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件
摘要 一种实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件,该器件结构设置在等离子体刻蚀腔体内,该器件结构包含RF接地垫圈、O形密封圈和交叠结构,所述的RF接地垫圈设置在等离子体刻蚀腔体内壁的垫圈槽内,所述的O形密封圈设置在RF接地垫圈的一侧或两侧,所述的交叠结构设置在O形密封圈与气体通道之间,在所述电接触面与气体通道之间构成一转折的缝隙。本发明使得等离子体刻蚀腔体与阴极的电位值相等,从而有效地控制RF功率分配,获得稳定的RF分布。
申请公布号 CN102810770A 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201110144238.8 申请日期 2011.05.31
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 倪图强;张亦涛;吴狄;陈妙娟;彭帆
分类号 H01R4/64(2006.01)I;H01R4/48(2006.01)I;H01R13/02(2006.01)I;H01R13/52(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01R4/64(2006.01)I
代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人 张静洁;徐雯琼
主权项 一种实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件,该接地器件设置在等离子体刻蚀腔体内,由导电材料构成,该接地器件的一端固定并电连接到反应腔体中的阴极,该阴极连接到射频电源,该接地器件的另一端固定到接地的反应腔内壁,该接地器件和反应腔内壁构成一个电接触面,其特征在于,该接地器件包含一个垫圈沟槽,一个RF接地垫圈(101)位于该垫圈沟槽中以提高该接地器件和反应腔内壁在电接触面上的导电能力,还包括一个O形密封圈(102)设置在RF接地垫圈(101)的一侧或两侧。
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号