| 发明名称 | 半导体存储器件和用于操作半导体存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于高速数据输入/输出的半导体存储器件包括：第一串行化器，配置成部分地串行化响应于读取命令而从内部单位单元接收的输入的8位并行数据来输出第一至第四串行数据；第二串行化器，配置成部分地串行化第一至第四串行数据来输出第五串行数据和第六串行数据；以及第三串行化器，配置成串行化第五串行数据和第六串行数据来输出第七串行数据，其中，第一串行化器包括：第一移相器，配置成将8位并行数据当中的4位数据的相位移动第七串行数据中的每个数据的数据窗的四倍；第一多路复用器，配置成对8位并行数据当中的其它4位数据和第一移相器的输出进行多路复用来输出第一至第四串行数据；以及第一锁存单元，配置成锁存第一多路复用器的输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101521040B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200810168266.1 | 申请日期 | 2008.10.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 辛范柱;尹相植 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01)I;G11C11/4093(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：第一串行化器，配置成部分地串行化响应于读取命令而从内部单位单元接收的输入的8位并行数据来输出第一至第四串行数据；第二串行化器，配置成部分地串行化所述第一至第四串行数据来输出第五串行数据和第六串行数据；以及第三串行化器，配置成串行化所述第五串行数据和第六串行数据来输出第七串行数据，其中所述第一串行化器包括：第一移相器，配置成将所述8位并行数据当中的4位数据的相位移动所述第七串行数据中的每个数据的数据窗的四倍；第一多路复用器，配置成对所述8位并行数据当中的其它4位数据和所述第一移相器的输出进行多路复用来输出所述第一至第四串行数据；以及第一锁存单元，配置成锁存所述第一多路复用器的输出。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||