发明名称 一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天线
摘要 一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天线,属于天线技术领域。该天线由三层金属图形层和两层LTCC陶瓷介质层构成,金属接地板位于第一LTCC陶瓷介质层下表面,金属微带馈线位于第一LTCC陶瓷介质层和第二LTCC陶瓷介质层之间,金属辐射贴片位于第二LTCC陶瓷介质层上表面。金属辐射贴片中间开有两个“L”形槽;金属微带馈线末端伸入金属辐射贴片的两个“L”形槽的正下方,并与一个双“π”型馈电结构相连;两个短路销钉位于金属射贴片的两个“L”形槽的垂直段末端,并穿过第一、二LTCC陶瓷介质层将金属接地板和金属辐射贴片连在一起。本发明具有较宽的工作带宽、超低剖面和极小的外形,同时具有良好的稳定性,能够更好地和特定功能有源电路进行集成。
申请公布号 CN101950857B 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201010264791.0 申请日期 2010.08.27
申请人 电子科技大学 发明人 肖绍球;金大鹏;王秉中
分类号 H01Q1/38(2006.01)I;H01Q13/08(2006.01)I 主分类号 H01Q1/38(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 葛启函
主权项 一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天线,包括金属接地板(1)、金属微带馈线(3)、金属辐射贴片(4)、第一LTCC陶瓷介质层(2)、第二LTCC陶瓷介质层(6)以及两个短路销钉(5);金属接地板(1)位于第一LTCC陶瓷介质层(2)整个下表面,金属微带馈线(3)位于第一LTCC陶瓷介质层(2)和第二LTCC陶瓷介质层(6)之间,金属辐射贴片(4)位于第二LTCC陶瓷介质层(6)上表面;金属辐射贴片(4)的形状为矩形,中间关于金属辐射贴片(4)水平中心线对称地开有两个“L”形槽,两个“L”形槽的水平段相互平行,而垂直段指向远离金属辐射贴片(4)水平中心线的方向;金属微带馈线(3)的首端位于第一LTCC陶瓷介质层(2)窄边中间位置,其末端伸入金属辐射贴片(4)的两个“L”形槽的正下方;其末端与一个双“π”型馈电结构相连;所述双“π”型馈电结构由四条平行于金属微带馈线(3)的微带枝节组成,所述四条平行于金属微带馈线(3)的微带枝节与一段公用垂直微带线相连,其中两条平行于金属微带馈线(3)的较长微带枝节和公用垂直微带线组成一个指向金属微带馈线(3)首端的大“π”结构,另外两条平行于金属微带馈线(3)的较短微带枝节和公用垂直微带线组成一个指向远离金属微带馈线(3)首端的小“π”结构;所述两个短路销钉(5)位于金属辐射贴片(4)的两个“L”形槽的垂直段末端,并穿过第一LTCC陶瓷介质层(2)和第二LTCC陶瓷介质层(6),将金属接地板(1)和金属辐射贴片(4)连在一起。
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