具有垂直二极管的集成电路

摘要

本发明揭露一种集成电路，其包括基材、第一导线与垂直二极管。其中，基材包括隔离区域，第一导线形成于基材内的隔离区域间，垂直二极管形成于基材内。集成电路包括耦接至垂直二极管的接点以及耦接至接点的存储元件，且第一导线可作为垂直二极管的一部分。

主权项

一种集成电路，包括：一基材，包含隔离区域；一第一导线，形成于该基材内，且介于隔离区域之问；一垂直二极管，形成于该基材内；一接点，与该垂直二极管耦接；一存储元件，与该接点耦接；下电极，所述下电极的下部与所述接点的上部接触，且所述下电极的上部与所述存储元件的下部接触；以及上电极，所述上电极的下部与所述存储元件的上部接触，其中，所述存储元件与所述下电极之间接口的剖面宽度定义了流经此接口的电流密度，并定义了程序化集成电路所需的能量，所述第一导线作为所述垂直二极管的一部分。