发明名称 形成受控的空隙的材料和方法
摘要 形成受控的空隙的材料和方法,本发明是在基底上形成气隙的方法,该方法包括:提供基底;通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层;沉积复合层;除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙;其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂;硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。
申请公布号 CN101060095B 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN200710103575.6 申请日期 2007.04.18
申请人 气体产品与化学公司 发明人 R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯
分类号 H01L21/764(2006.01)I 主分类号 H01L21/764(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张轶东;韦欣华
主权项 形成气隙的方法,方法包括:(a)提供基底;(b)在基底上沉积具有至少一种有机前体的牺牲层;(c)在牺牲层上沉积具有成孔剂和至少一种含有氧化硅的前体或有机硅酸盐玻璃(OSG)前体的复合层,所述成孔剂是(b)中的至少一种有机前体;和(d)对具有牺牲层和复合层的基底应用能量以除去牺牲层而提供气隙和除去成孔剂而形成多孔层。
地址 美国宾夕法尼亚州