发明名称 产生磁性偏置场的多层薄膜结构
摘要 本发明涉及一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构。其包括种子层与保护层;在种子层与保护层间可以设置至少一层磁性被钉扎层、至少一层非磁性钉扎层或是设置硬磁层;所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定;当种子层与保护层间设置硬磁层时,种子层与保护层的外周面上缠绕有电流导线,电流导线在通入电流时,能够对硬磁层产生的磁性偏置场进行校正。本发明能够在受到较大外磁场干扰,并在外磁场撤掉后,所产生的磁性偏置场可以恢复,从而使磁性传感器系统可以正常工作,且没有功耗方面的损失。
申请公布号 CN101853732B 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201010193329.6 申请日期 2010.06.01
申请人 王建国;薛松生 发明人 王建国;薛松生
分类号 G11B5/39(2006.01)I;H01F10/08(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I 主分类号 G11B5/39(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是,该多层薄膜结构包括:种子层;至少一层磁性被钉扎层,所述磁性被钉扎层产生磁性偏置场;至少一层非磁性钉扎层,所述非磁性钉扎层为所述磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与所述磁性偏置场的方向相同,所述磁性钉扎场能够保持所述磁性偏置场方向的稳定;所述非磁性钉扎层的回火工艺为:回火温度为270℃‑330℃,回火时施加的外磁场为5000高斯以上;所述非磁性钉扎层产生的所述磁性钉扎场的方向由回火时施加的外磁场的方向决定。
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