得到具有优良抗蚀刻性的低k电介质阻挡层的方法

摘要

本发明一般提供一种形成电介质阻挡层的方法，该电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能。一个实施例提供一种处理半导体衬底的方法，该方法包括将前驱物供给处理室，其中前驱物包括硅-碳键和碳-碳键，在处理室中产生前驱物的低密度等离子体，以在半导体衬底上形成具有碳-碳键的电介质阻挡膜，其中前驱物中至少部分碳-碳键保持在低密度等离子体中并且混入电介质阻挡膜。

主权项

一种处理半导体衬底的方法，包括：将前驱物流入处理室，其中所述前驱物包括硅‑碳键和碳‑碳键，该前驱物包括单碳‑碳(C‑C)键源、双碳‑碳键(C＝C)源、三碳‑碳键(C≡C)源，或其组合；在所述处理室中产生所述前驱物的低密度等离子体，以在所述半导体衬底上形成一基于碳化硅、具有碳‑碳键的电介质阻挡膜，其中所述前驱物中至少部分碳‑碳键保持在所述低密度等离子体中并且混入所述电介质阻挡膜，所述前驱物包括有机硅化合物和碳氢化合物的混合物，所述碳氢化合物包括乙烯、丙炔或其组合物；以及通过引入受控数量的氮从所述电介质阻挡膜中除去双碳‑碳键(C＝C)和/或三碳‑碳键(C≡C)。