CuInSe₂纳米材料及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用。该方法，包括下述步骤：1)将含铜化合物、含硒化合物及油胺于反应装置a中混匀，将含铟化合物及油胺于反应装置b中混匀，将装置a和装置b分两步加热升温，同时用惰性气体排除装置a和装置b中的氧气和水；2)将装置b冷却至60-160℃，将装置a继续升温至130-280℃后，将装置b中的含铟化合物及油胺加入到装置a中进行反应，反应完毕用有机溶剂洗涤，得到所述CuInSe2纳米材料。本发明利用常规的反应物可制备出非常均匀的CuInSe2纳米材料，而且利用制备的CuInSe2纳米材料和P3HT制备的复合材料表现出优异的光电性能。

主权项

一种制备CuInSe2纳米材料的方法，包括下述步骤：1)将含铜化合物、含硒化合物及油胺于反应装置a中混匀，将含铟化合物及油胺于反应装置b中混匀，将所述反应装置a和反应装置b分两步加热升温，在所述加热升温步骤的同时，用惰性气体、氮气和二氧化碳中的至少一种排除所述反应装置a和反应装置b中的氧气和水；其中，所述含铜化合物选自油酸铜、氯化铜、氯化亚铜和醋酸铜中的至少一种，所述含硒化合物选自二苯基二硒醚、硒脲和单质硒中的至少一种，所述含铟化合物选自氯化铟、油酸铟和醋酸铟中的至少一种；2)将所述反应装置b冷却至60‑160℃，将所述反应装置a继续升温至130‑280℃后，将所述反应装置b中的含铟化合物及油胺加入到所述反应装置a中进行反应，反应完毕用有机溶剂洗涤，得到所述CuInSe2纳米材料；所述有机溶剂选自甲苯、氯仿、正己烷、甲醇、乙醇和异丙醇中的至少一种。